Η Samsung ξεπερνά την TSMC γίνεται η πρώτη που παράγει chipset 3 νανομέτρων
11/07/2022 | 10:00
08/08/2025 | 14:21
Η Samsung ανακοίνωσε ότι ξεκίνησε τη μαζική παραγωγή τσιπ τριών νανομέτρων, ξεπερνώντας την αντίπαλη Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC), σε ένα βασικό ορόσημο σε έναν αγώνα για την κατασκευή των πιο προηγμένων chipset στον κόσμο.
Η εταιρεία ανακοίνωσε πως τα νέα chipset θα χρησιμοποιηθούν στη λεγόμενη Gate-All-Around transistor architecture για να μειώσουν αποτελεσματικά την κατανάλωση ενέργειας έως και 45% και να βελτιώσουν την απόδοση κατά 23% σε σύγκριση με τα τσιπ 5 νανομέτρων.
Η Samsung θα χρησιμοποιήσει επίσης αυτό που ονομάζεται Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). Κάτι που εφγαρμόζεται για πρώτη φορά, αυτή η διαδικασία αψηφά τους περιορισμούς απόδοσης του FinFET, βελτιώνοντας την απόδοση ισχύος, μειώνοντας το επίπεδο τάσης τροφοδοσίας και βελτιώνοντας την απόδοση αυξάνοντας την ικανότητα ρεύματος κίνησης.
«Η Samsung έχει αναπτυχθεί ραγδαία, ενώ συνεχίζουμε να επιδεικνύουμε ηγετική θέση στην εφαρμογή τεχνολογιών επόμενης γενιάς στη κατασκευή, όπως η πρώτη πύλη High-k, FinFET, καθώς και η EUV. Επιθυμούμε να συνεχίσουμε σε αυτήν την ηγετική θέση, με τη πρώτη διαδικασία 3 νανομέτρων στον κόσμο» ανέφερε στη δήλωση του ο Siyoung Choi, πρόεδρος και επικεφαλής στη Samsung Electronics.
«θα συνεχίσουμε να καινοτομούμε ενεργά στην ανταγωνιστική τεχνολογική ανάπτυξη και να δημιουργούμε διαδικασίες που βοηθούν στην επιτάχυνση της ωρίμανσης της τεχνολογίας».
Σχολιάστε